[MicroChemicals] AZ NLOF 2020 Photoresist

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[MicroChemicals] AZ NLOF 2020 Photoresist

General Information:

i-line sensitive negative resist AZ® nLOF 2020은 약 2 µm 두께의 레지스트 막을 갖는 AZ® nLOF 2000 시리즈 중 가장 얇은 제품으로, 주로 리프트오프(lift-off) 공정에 최적화되어 있습니다

Product Properties:

AZ® nLOF 2020은 스핀 속도에 따라 약 1.5–2.5 µm 범위의 레지스트 막 두께를 형성합니다. 이 제품은 i-line(365 nm)에만 감응하며, 노광 후 노광 과정에서 유도된 가교 반응을 완전히 진행시키기 위해 Post Exposure Bake(PEB) 공정이 필요합니다.

현상 후 형성되는 레지스트 구조는 리프트오프(lift-off) 공정에 적합하도록 약간의 네거티브(undercut) 형상을 갖는데, 이는 노광 시 상부 레지스트 영역이 기판 근처 영역보다 더 많은 노광량을 받아 더 강하게 가교 결합되기 때문입니다.

이 언더컷 구조는 노광량을 줄여도 제한적으로만 증가할 수 있는데, 이는 얇은 레지스트 두께가 노광 파장의 침투 깊이 범위에 있기 때문에, 낮은 노광량에서도 항상 기판까지 노광되기 때문입니다.

더 얇은 레지스트 층이 필요할 경우, AZ® nLOF 2020을 PGMEA(= AZ® EBR Solvent)로 희석할 수 있으며, 또는 AZ® LNR-003 사용을 고려할 수 있습니다. 반대로 더 두꺼운 레지스트 층이 필요하다면, 약 3–4 µm 두께의 AZ® nLOF 2035 또는 5 µm 이상의 AZ® nLOF 2070을 권장합니다. 이 두 제품은 AZ® nLOF 2020과 용매 함량만 다릅니다.

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